19.06.2010 [18:58], Александр Будик

Компания Toshiba на днях анонсировала выпуск модулей встраиваемой NAND-памяти емкостью 128 Гб. Это самые емкие модули такого класса в отрасли, отмечает производитель.

Новые устройства полностью соответствуют спецификации e-MMC и нацелены на использование в широком диапазоне цифровой потребительской электроники, включая смартфоны, планшетные ПК и видеокамеры. Ознакомительные образцы будут доступны уже в сентябре, а массовое производство запланировано на четвертый квартал 2010 года.

128-Гб модуль с габаритами 17 х 22 х 1,4 мм включает 16 64-Гбит NAND-микросхем, выпущенных по 32-нм техпроцессу, и контроллер памяти. Толщина каждой микросхемы составляет всего 30 мкм.

Помимо 128-Гб модели, Toshiba также представит версию с емкостью 64 Гб.

Спецификации:

• Интерфейс JEDEC e-MMC v4.4 HS-MMC;
• Напряжение питания ядра памяти 2,7-3,6 В;
• Ширина шины х1, х4, х8;
• Скорость записи до 21 Мб/с;
• Скорость чтения до 55 Мб/с;
• Температурный диапазон -25 - +85 °C;
• Корпус 237-контактный FBGA.