05.10.2009 [15:31], Денис Борн
Fujitsu и Fujitsu Laboratories анонсировали свою новую разработку -
первый в мире, по их утверждению, чипсет на основе HEMT (High Electron
Mobility Transistor – транзистор с высокой подвижностью электронов) с
применением нитрида галлия (GaN). Устройство представляет из себя
приёмо-передающий усилитель для оборудования широкополосной
беспроводной связи, работающего в миллиметровом диапазоне от 70 ГГц до
100 ГГц. В ближайшее время ожидается рост этого сегмента. Передающая
часть обеспечивает самый высокий в мире уровень выходной мощности,
составляющий 350 мВт, а принимающий усилитель в свою очередь обладает
наивысшим уровнем коэффициента усиления – 310х в диапазоне W-band
(миллиметровый) с низким коэффициентом шума в пределах 3,8 дБ.
По сравнению с технологией на основе арсенида галлия, новый
чипсет-усилитель обладает вчетверо большей выходной мощностью, а
коэффициент шума снижен на 40%, при этом диапазон передачи увеличен
втрое. Разработка может использоваться как альтернатива оптоволоконным
каналам связи, поскольку послужит устранению цифрового разделения
(которое отражает неравный доступ пользователей к информации) в
беспроводных коммуникациях путём производства оборудования для
магистральных линий и сверхвысокоскоростного фиксированного доступа. В
итоге беспроводная связь станет более практичной.
Источник: http://www.3dnews.ru/news/pervii_v_mire_usilitel_na_gan_chipsete_za_fujitsu/?ext=subscribe&source=subscribe |