Компания Hynix Semiconductor заявила о разработке DDR3-чипов второго поколения. Новые микросхемы, обладающие емкостью 1 Гбит, выпускаются с использованием 54-нм техпроцесса. Как отмечает производитель, в дизайн новых чипов были внесены инновационные модификации, которые позволили существенно снизить их потребляемую мощность.

Новые чипы функционируют при напряжении питания 1,5 В, как и микросхемы предыдущего поколения, но отличаются от них на 30% сниженным энергопотреблением. Hynix утверждает, что её чипы второго поколения по производительности являются лидерами среди других гигабитных решений. Новая философия дизайна, использованная в гигабитных чипах, также найдет применение в грядущих 40-нм продуктах емкостью 2 Гбит.

Согласно данным аналитической организации iSuppli, доля DDR3-чипов емкостью 1 Гбит на рынке составляет около 87%. По её прогнозам, микросхемы большей емкости займут более половины рынка не ранее 2011 года.

Hynix уже начала массовый выпуск своих новых гигабитных чипов.